レジストが塗布されたウエハーに半導体の回路パターンを露光する半導体露光装置。レチクルと呼ばれるマスク(原版)の回路パターンを投影レンズで縮小してウエハーに焼き付ける。一枚のウエハーを移動(ステップ　アンド　リピート)させ多数回パターンを露光するのでステッパーと呼ばれる。投影レンズの縮小倍率は1/5あるいは1/4である。解像度はレンズの開口数と波長に依存する。解像度を上げるために光源はi線(λ=356nm)からKrFエキシマレーザ(λ=248nm)、ArFエキシマレーザ(λ=193nm)へと短波長化している。さらに部分コヒーレント照明による超解像技術を駆使して解像度を上げている。また最近ではレンズとウエハーの間を液体で満たした液侵方式の採用で解像度を向上させる方法もとられている。